다이아몬드 박막은 RF PACVD법에 의해 수소와 메탄으로부터 실리콘 웨이퍼 상에 성장되어졌다. 박막 성장 전에 표면의 핵생성 밀도를 증가시키기 위하여 1㎛의 다이아몬드 페이스트로 기계적 흡집을 내어 사용하였다. 메탄 농도를 변화시켜 제작한 박막에 대한 평가는 XRD, SEM 및 Raman Spectroscopy에 의해 이루어졌다. 성장된 박막의 결정성은 메탄 농도가 낮을수록 증가되었다.
Diamond film was deposited on Si wafer using $ extrm{H}_2$ and $ extrm{CH}_4$ mixed gas by RF PACVD. Prior to deposition, mechanical scratching was done to improve density of nucleation sites with diamond paste of $1mu extrm{m}$ The microstructure of deposited film was studied at various methane concentrations. The deposited film was characterized by XRD(X-tay diffraction), SEM(Scanning Electron Microscopy) and Raman Spectroscopy The deposited diamond film showed that the crystallite was increased at the lower methane concentration.
