본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 PPL 모드에 의한 혼신 현상을 억제할 수 있는 새로운 구조의 CB-CPW 전송선로 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 주기판으로 사용되어지는 GaAs 기판 밑면에 Si 손실층이 부착된 형태를 갖는다. PPL 모드는 진행하며 도전율 ${sigma}$를 갖는 Si 손실층에 의해 감쇠되고, 결과적으로 혼신은 억제된다. 모의 실험 결과, 200 um의 두께와 도전율 ${sigma}$ = 30S/m를 갖는 Si 기판을 손실층으로 사용하였을 때 60GHz에서 -40 dB이하고 혼신을 억제할 수 있음을 확인하였다. 제안된 방법은 가격이 저렴한 Si 기판을 손실층으로 사용하므로써 밀리미터와 대역에서 동작하는 여러 분야에 이용될 수 있으리라 기대된다.
In this paper, we proposed a novel CB-CPW(Conductor Backed CPW) for suppression of crosstalk caused by PPL(Parallel Plate Line) mode in the millimeter wave frequency. The proposed structure is formed by the GaAs main substrate attached on the Si lossy layer. The PPL mode can be suppressed by the Si lossy layer of conductivity ${sigma}$, and it reduces the crostalk between the nearby transmission lines. Using 200 um thick Si substrate of ${sigma}$ = 30S/m, as the lossy layer, the crosstalk can be suppressed below - 40 dB at 60 GHz. The proposed method is costly effective because inexpensive Si wafer is employed to suppress the PPL mode, and it can be used in the various types of millimeter wave applications.
