- BJT 베이스 분산저항의 1/f 잡음특성에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 구회우,이기영,Koo. Hoe-Woo,Lee. Kie-Young
- ㆍ 간행물명
- 전기전자학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1999년|3권 2호|pp.236-242 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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BiCMOS 공정으로 제조된 바이폴라 트랜지스터의 베이스 분산저항 ${gamma}_{bb}$에서 발생되는 1/f 잡음을 실험 적으로 분석하였다. 공통컬렉터 잡음등가회로의 해석으로부터 $g_m^{-1}-{gamma}_{bb}-R_B$값이 매우 작을 때는 출력측에서의 1/f 잡음은 순수하게 ${gamma}_{bb}$에서 발생되는 잡음임을 실험을 통해서 확인할 수 있었다. $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$에서 $A_f=2,;K_f{simeq}5{ imes}10^{-9}$를 얻었다. 그리고 Hooge상수 ${alpha}$ 값은 ${sim}10^{-3}$ 범위로 추출되었다.
J noise component due to base spreading resistance ${gamma}_{bb}$ of bipolar junction transistors fabricated by BiCMOS process is experimentally analyzed. The analysis of equivalent noise circuit for common collector shows that output 1/f noise value is purely generated from ${gamma}_{bb};when;g_m^{-1}-{gamma}_{bb}-R_B$ is closely to zero. From the $S^{1/f}_{Irbb}=K_fI_b{^{A_1}}/f$, we fine that $A_f=2,;K_f{simeq}5{ imes}10^{-9}$. And Hooge constant ${alpha}$ values are in the order, of 10$^{-3}$.