- Hot - wall epitaxy 방법으로 성장한 ZnSe 박막의 열처리 효과
- ㆍ 저자명
- 정태수,김택성
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2000년|10권 2호|pp.96-99 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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우리는 hot-well epiraxy 방법으로 성장된 ZnSe 박막의 광발광 측정을 10 K에서 실행하였다. as-grown 박막은 upper polartion과 lower polarition으로 분리된 중성 도너(donor) bound exciton $I_2$($D^{circ}$,X)가 아주 우세하게 관측되었고 Se분위기 열처리 결과 $I_2$기원이 Se-vacancy에 관련이 있음을 알았다. 또 중성 억셉터(acceptor) bound exciton $I_1$$^d$발광이 관측되었다. 그런데 ZnSe는 self-compensated에 의해 p-type 반전이 어렵다. 우리는 Se 분위기 열처리로부터 $I_1$$^d$ 봉우리가 아주 우세함을 보였다. 이것은 열처리한 ZnSe 박막에 억셉터가 풍부하게 존재한다는 것을 의미하며 결과적으로 광학적인 p-type 반전을 분명하게 관측 할 수 있었다. 또한 엑셉터 불순물의 결합 에너지는 268meV이였다. 장파장대에서 SA 발광은 Se 분위기 열처리 후 사라진 것으로 보아 Se-vacancy와 관련이 있는 것으로 고찰되었다.
The photoluminescened experiments at temperature of 10K were carride out for ZnSe epilayers grown by hot-wall epitaxy. The upper and lower polariton peaks of the neutral dound exciton $I_2$($D^{circ}$,X) for as-grown epilayer have been dominantly observed.For the heat-treatment under Se ambient,the origin of $I_2$ emission is confirmed to be related to Se-vacancy.The extra neutral acceptor bound exciton $I_1$$^d$ is also observed.The ZnSe epilayer shows the self-compensation effect and it is hard to be converted into p-type ZnSe epilayer.However,the photoluminescence spectrum of the annealed sample in Se ambient shows the intense $I_1$$^d$ emission.This indicates that in the annealed ZnSe epilayer,there are many acceptor levels due to the opical p-type converstion. The binding energy of acceptor-impurity is ecaluated to the value of 268meV and the self-activated emission is disappeared by thermal annealing under Se ambient,which indicates the association with Se-vacancy.