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기판 조건에 따른 SBT 강유전체 커패시터의 특성
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  • 기판 조건에 따른 SBT 강유전체 커패시터의 특성
저자명
박상준,장건익
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2000년|13권 2호|pp.143-150 (8 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Ferroelectric SrxBi2+yTa2O9+$alpha$ thin films with various compositions(x=0.7, 0.8, 1, y=0.3, 0.4) were prepared by sol-gel method. The film with moled ratio of 0.8:2.3:2.0 in Sr/Bi/Ta, which was deposited on Pt/SiO2/Si (100), showed better ferroelectric properties than other films. To investigate substrate effects, the same compositions were spin coated on Pt/Ti/SiO2/Si (100) substrates. At an applied voltage of 5V, the dielectric constant($varepsilon$r), remanent polarization (2Pr) and coercive field (Ec) of the Sr0.8Bi2.3Ta2O9+$alpha$ thin film prepared on Pt/Ti/SiO2/Si (100) were about 296, 24$mu$C/$ extrm{cm}^2$ and Ec of 49kV/cm respectively. Both SBT films firred at 80$0^{circ}C$ revealed no fatigue up to 1010 cycles. Retention characteristics of these capacitors showed no degradation up to 104 sec.