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900 MHz CMOS 저잡음 증폭기의 설계
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  • 900 MHz CMOS 저잡음 증폭기의 설계
저자명
윤상영,윤헌일,정용채,정항근,황인갑
간행물명
韓國電磁波學會論文誌
권/호정보
2000년|11권 6호|pp.893-899 (7 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 0.65 $mu$m CMOS 공정을 이용한 900MHz 대역의 저잡음 증폭기를 설계하였다. 입력 매칭은 전력소모가 가정 적고 NF도 가장 작은 인덕터 종단 정합회로를 사용하였다. 온칩 상에 바이어스 안정화를 포한시켰으며, 전원은 3V를 공급하였을 때 전력 소모는 39mW이다. 설계된 저잡음 증폭기의 특성능 900MHz 대역에서 13.2dB의 이득과 4.8dB의 Noise Figure가 측정이 되었다. 입력 반사손실으 -26dB, 츨력반사 손실은 -17dB을 얻었으며, 입력 1-dB 억압 -12dBm을 얻었다.

기타언어초록

A 900 MHz low-noise amplifier(LNA) with a measured noise figure of 4.8 dB and an associated gain of 13.2 dB was fabricated in a 0.65 $mu$m CMOS. The inductive source architecture of offers the possibility of achieving the best noise performance. At 900 MHz, the fabricated LNA dissipates 39 mW from a single 3 V power supply including the bias circuitry and provides -26dB input return loss, -17 dB output return loss, and an input 1-dB compression level of -12 dBm.