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열화학기상증착법에 의한 고순도 탄소나노튜브의 성장
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  • 열화학기상증착법에 의한 고순도 탄소나노튜브의 성장
저자명
유재근,박정훈,김대운,이철진,손권희,신동혁,문인기,Yu. Jae-Geun,Park. Jeong-Hun,Kim. Dae-Un,Lee. Cheol-Jin,Son. Gwon-Hui,Sin. Dong-Hyeok,Mun. In-Gi
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2000년|49권 12호|pp.649-653 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We have grown carbon nanotubes by thermal chemical vapor deposition of $C_{2}H_{2}$ on catalytic metal deposited on silicon oxide substrates. Highly purified carbon nanotubes are uniformly grown on a large area of the silicon oxide substrates. It is observed that surface modification of catalytic metals deposited on substrates by either etching with dipping in a HF solution and/or $NH_{3}$ pretreatment is a crucial step for the nanotube growth prior to the reaction of $C_{2}H_{2}$ gas. The diameters of carbon naotubes could be controlled by applying the different catalytic metals.