소자의 특성을 정확히 묘사하고 이를 회로설계에 사용하기 위해서는 정확한 모델링과 이에 관련된 모델변수를 정확히 추출하는 것이 중요하다. 특히, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 SiGe HBT를 비롯한 이종접합 트랜지스터의 베이스 저항은 베이스 단자로부터 전류가 에미터-베이스의 접합면을 향해 퍼져 들어가기 때문에 이 전류가 겪는 저항 성분(spreading resistance)은 하나의 고정값으로 구할 수가 없으며 전류값에 따라 그 효과가 민감하게 변하게 된다. 이와 같은 이유로 다른 어떠한 모델변수들 보다 베이스 저항 모델변수의 정확한 추출이 매우 어렵다. 본 논문에서는 DC에서 측정된 베이스 저항값을 기본으로 하여 베이스 저항 모델변수들을 정확하고 체계적으로 추출하는 방법에 관하여 논의한다. 본 논문의 베이스 저항 관련 모델변수들의 추출에는 한국전자통신연구원에서 개발한 SiGe HBT 소자를 사용하였으며, 또한 모델 변수 추출은 SILVACO사의 UTMOST III 컴퓨터 프로그램을 이용하였다.