본 논문에서는 표준 메모리 공정에 구현 가능한 주파수 적응성을 갖는 부지연 회로의 설계기법에 대해 제안한다. 제안하는 설계기법은 기본적으로 아날로그 SMD (synchronous mirror delay) 형태의 부지연 회로로서 입력클록의 주기와 구현하고자 하는 부의 지연 시간의 차이에 해당하는 시간을 아날로그 회로의 개념으로 측정하고 다음 번 주기에서 반복한다. 출력클록의 발생과 관련되는 부수적인 지연을 측정단의 앞 단인 지연모델 단에서 상쇄하는 기존의 SMB 기법과는 달리, 반복단에서 상쇄하는 새로운 기법을 통하여 넓은 부지연 범위를 구현하여 특히 고속동작에서의 부지연 특성을 원할하게 한다. 또한 넓은 범위의 주파수 동작범위를 구현하기 위해 해당하는 주파수 범위에서 아날로그 회로가 최적의 동작 조건을 갖추도록 하기 위한 새로운 주파수 감지기 및 최적조건 설정기법을 제안한다. 제안된 회로의 응용으로서 초고속 DRAM인 DDR SDRAM에 적용하는 예를 보였으며, 0.6㎛ n-well double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하여 모의실험 함으로써 그 유용성을 입증한다.
In this paper, a design methodology for the frequency-adaptive negative-delay circuit which can be implemented in standard CMOS memory process is proposed. The proposed negative-delay circuit which is a basic type of the analog SMD (synchronous mirror delay) measures the time difference between the input clock period and the target negative delay by utilizing analog behavior and repeats it in the next coming cycle. A new technology that compensates the auxiliary delay related with the output clock in the measure stage differentiates the Proposed method from the conventional method that compensates it in the delay-model stage which comes before the measure stage. A wider negative-delay range especially prominent in the high frequency performance than that in the conventional method can be realized through the proposed technology. In order to implement the wide locking range, a new frequency detector and the method for optimizing the bias condition of the analog circuit are suggested. An application example to the clocking circuits of a DDR SDRAM is simulated and demonstrated in a 0.6 ${mu}{ extrm}{m}$ n-well double-poly double-metal CMOS technology.
