본 연구에서는 온도의 증가에 따른 RF-CMOS의 ｇm과 ｆT 및 fmax의 감소를 측정하였다. RF응용에서 MOS소자는 포화영역에서 동작되므로 모든 측정바이어스에서 온도에 따른 gm특성 변화를 실험적인 관계식으로 모델링하였다. CMOS의 fT와fmax는 gm에 비례하기 때문에 온도에 따른fT 및 fmax 변화도 온도에 따른 gm관계식으로부터 구할 수 있었다. 그리고 온도 증가에 따른fт와fmax 감소는 대부분 gm 감소에 기인되며 DC와 RF특성 상관관계로부터 저온에서는fT와fmax가 크게 증가됨을 예견할 수 있었다.
In this work, the degradation of g$_{m}$ , f$_{T}$ and f$_{max}$ of RF-CMOS devices have been characterized at elevated temperature. Since MOS transistors in RF applications are usually in saturation region, a simple empirical model for temperature dependence of g$_{m}$ at any measurement bias has been suggested. Because f$_{T}$ and f$_{max}$ of CMOS devices are proportional to g$_{m}$, the temperature dependence of f$_{T}$ and f$_{max}$ could be obtained from the temperature dependence of g$_{m}$. It was found that the degradation of f$_{T}$ and f$_{max}$ at elevated temperature was due to the degradation of g$_{m}$. From the correlation between DC and RF performances of CMOS devices, we can predict the enhanced f$_{T}$ and f$_{max}$ performances at low temperature.
