본 논문에서는 IMT2000 중계기용으로 1.88-1.98 ㎓ 대역 전력증폭기를 저 가격, 소형으로 개발하였다. 이 전력증폭기는 두 단으로 구성되어 있으며 초단은 P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies)를 사용하였으며, 종단은 GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor)를 사용하였다. 개발된 전력 증폭기는 전체 주파수 대역인 1880-1980 ㎒에서 이득이 29.5㏈, 1㏈ gain compression point는 29.5dBm, 3rd order intercept point(OIP3)는 42dBm 그리고 입출력 return loss는 -10㏈/-l2㏈ 이다. 본 연구에서는 이 전력 증폭기를 설계하기 위하여 각 소자의 비선형 모델을 사용하여 전력증폭기의 여러 가지 비선형 특성을 설계할 수 있었으며, 이 전력 증폭기의 크기는 42(L) x 34(W) mm으로 소형화가 가능하였다.
A simple low-cost and small size 1.88-198 GHz Band RF power amplifier module is developed for IMT2000 repeater. The power amplifier consists of two stage amplifiers that the first stage amplifier is drive amplifier using discrete type P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies) and the second is power amplifier with 300Bm 1dB gain compression point using GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor). this power amplifier module feature a 29.5dBm 1dB gain compression point, 29.5dB gain, 42dBm 3rd order intercept point(OIP3) and -10dB/-l2dB input/output return loss over the 1880-1980 MHz. This PA module is fully integrated using MIC technology into a small size and design by full nonlinear design technologies. The dimensions of this PA module are 42(L) $ imes$ 34(W) mm.
