SCH 양자우물 레이저에서 수치적 모델을 이용하여 캐리어의 양자우물 subband 점유에 따른 광 이득, 광 미분 이득과 재결합 전류를 계산하고, 이를 해석적 캐리어 포획 및 탈출 모델과 연계하여 양자우물 주입 전류와 SCH bulk 캐리어의 관계를 도출하였다. 이를 토대로 SCH 영역과 양자우물의 캐리어 비율과 전류 비율을 얻고, 이에 따른 광 이득과 광 미분 이득의 변화를 고찰하였다.
In a SCH(separate confinement heterostructure) QW(quantum well) laser, we calculated the optical gain, the differential gain and recombination current in the QW and derived the bulk carrier density in the SCH region as a function of the QW current by using the analytical capture escape model. Based upon above relations, we found the optical gain and the differential gain correspond to the ratios of carrier and current injected into the QW
