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새로운 ICP 장치를 이용한 고온 초전도체의 Dry Etching과 기존의 Wet Etching 기술과의 비교
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  • 새로운 ICP 장치를 이용한 고온 초전도체의 Dry Etching과 기존의 Wet Etching 기술과의 비교
저자명
강형곤,임성훈,임연호,한윤봉,황종선,한병성
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2001년|14권 2호|pp.158-162 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this report, a new process for patterning of YBaCuO thin films, ICP(inductively coupled plasma) method, is described by comparing with existing wet etching method. Two 100㎛ wide and 2mm long YBaCuO striplines on LaAlO$_3$ substrates have been fabricated using two patterning techniques. And the properties were compared with the critical temperature and the SEM photography. Then, the critical temperatures of two samples were about 88 K, but the cross section of sample using ICP method was shaper than that using the wet etching method. ICP method can be used as a good etching technique process for patterning of YBaCuO superconductor.