- $eta$-$FeSi_2$ 단결정의 전기적 광학적인 특성
- ㆍ 저자명
- 김남오,김형곤,이우선
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2001년|14권 8호|pp.618-621 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Plate-type $eta$-FeSi$_2$single crystals were grown using FeSi$_2$, Fe, and Si as starting materials by the chemical transport reaction method. The $eta$-FeSi$_2$single crystal was an orthorhombic structure. The direct optical energy gap was found to be 0.87eV at 300K. Hall effect shows a n-type conductivity in the $eta$-FeSi$_2$ single crystal. The electrical resistivity values was 1.608Ωcm and electron mobility was 3x10$^{-1}$ $ extrm{cm}^2$/V.sec at room temperature.