- 실리카 광도파로용 SiON 후막 특성에서 RF Power와 $SiH_4$/($N_2$O+$N_2$) Ratio가 미치는 영향
- ㆍ 저자명
- 김용탁,조성민,서용곤,임영민,윤대호
- ㆍ 간행물명
- 한국세라믹학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2001년|38권 12호|pp.1150-1154 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국세라믹학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파막의 코어로 이용되는 규소질산화막(SiON)을 Si 웨이퍼 위에 SiH$_4$,$N_2$O, $N_2$가스를 혼합하여 저온(32$0^{circ}C$)에서 증착하였다. Prism coupler 측정을 통해 SiON 굴절률 1.4663~1.5496을 얻었으며, SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) 유량비와 rf power가 각각 0.33과 150W에서 8.67$mu extrm{m}$/h의 증착률을 나타내었다. 또한 SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) 유량비가 감소함에 따라 SiON막의 roughness는 41~6$AA$까지 감소하였다.
Silicon oxynitride (SiON) thick films using the core layer of silica optical waveguide have been deposited on Si wafer by PECVD at low temperature (32$0^{circ}C$) were obtained by decomposition of appropriate mixture of (SiH$_4$+$N_2$O+$N_2$) gaseous mixtures under RF power and SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) ratio deposition condition. Prism coupler measurements show that the refractive indices of SiON layers range from 1.4663 to 1.5496. A high SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) of 0.33 and deposition power of 150 W leads to deposition rates of up to 8.67 ${mu}{ extrm}{m}$/h. With decreasing SiH$_4$/($N_2$O+$N_2$) ratio, the SiON layer become smooth from 41$AA$ to 6$AA$.