본 논문에서는 4 Mb/s 부터 100 Mb/s 의 IrDA(Infrared Data Association) 응용이 가능한 CMOS infrared (IR) wireless data link IC의 설계 방법에 대해 기술한다. 이 모듈은 60 dB에서 100 dB가지의 이득 범위를 가지는 variable gain transimpedance amplifier, AGC(automatic gain control) 회로, AOC(automatic offset control) loop, 4 PPM (pulse position modulation) modulator/demodulator와 DLL(delay locked loops)로 구성된다. 본 적외선 광송수신 IC는 0.25 um 1-poly 5-metal CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 2.5 V 전원 전압에서 동작시켰으며 100 Mb/s에서 출력단 버퍼를 제외하고 25 mW의 진력을 소모한다. 칩의 크기는 1.5 mm $ imes$ 1 mm이다.
This paper describes a design of CMOS infrared (IR) wireless data link IC which can be used in IrDA(Infrared Data Association) application from 4 Mb/s to 100 Mb/s The implemented chip consists of variable gain transimpedance amplifier which has a gain range from 60 dB to 100 dB, AGC (automatic gain control) circuits, AOC(automatic offset control) loop, 4 PPM (pulse position modulation) modulator/demodulator and DLL(delay locked loops). This infrared optical link If was implemented using commercial 0.25 um 1-poly 5-metal CMOS process. The chip consumes 25 mW at 100 Mb/s with 2.5 V supply voltage excluding buffer amplifier. The die area of prototype IC is 1.5 mm $ imes$ 1 mm.
