- 적색 중심 Optical Link용 Si pin Photodetector의 설계 및 제작
- ㆍ 저자명
- 장지근,김윤희,이지현,강현구,이상열
- ㆍ 간행물명
- 마이크로전자 및 패키징 학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2001년|8권 1호|pp.1-4 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국마이크로전자및패키징학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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새로운 구조의 APF optical link용 Si pin photodetector를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 금속-반도체 접촉주위에 $p^{+}$-guard ring구조와 광이 입사되는 수광면에 그물망 모양의 얕은 $p^{+}$-확산영역을 갖는다. 제작된 소자의 전기.광학적 특성을 -5 V의 동작전압에서 측정한 결과, 접합 커패시턴스와 암전류는 각각 4 pF와 180 pA로 나타났으며 광신호 전류와 감도특성는 670 nm이 중심파장을 갖는 2.2 $mu$W의 입사광 전력 아래에서 각각 1.22 $mu$A와 0.55 A/W로 나타났다. 제작된 소자는 650~700 nm의 파장영역에서 최대 spectral response를 보이고 있으며 낮은 점한 커패시턴스와 우수한 신호분리능력으로 인해 red light optics응용에서 광신호 검출에 적합하게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.
We have fabricated and evaluated a new Si pin photodetector for APF optical link. The fabricated device has the $p^{+}$-guard ring around the metal-semiconductor contact and the web patterned $p^{+}$-shallow diffused region in the light absorbing area. From the measurements of electo-optical characteristics under the bias of -5 V, the junction capacitance of 4 pF and the dark current of 180 pA were obtained. The optical signal current of 1.22 $mu$A and the responsivity of 0.55 A/W were obtained when the 2.2 $mu$W optical power with peak wavelength of 670 nm was incident on the device. The fabricated device showed the maximum spectral response in a spectrum of 650-700 nm. It is expected that the fabricated device can be very useful for detecting the optical signal in the application of red light optics.