본 논문에서는 6H-SiC의 유효 이온화 계수를 추출하였고, 이 이온화 계수를 이용하여 6H-SiC p＋n 접합의 해석적 항복 전압 식을 유도하였다. 해석적 항복 전압 결과는 1015 cm-3 ∼ 1018 cm-3의 농도 범위에서 Dmitriev의 수치적 결과［3］ 및 Cree Research의 실험 결과［9］와 비교하여 잘 일치하였다.
In this paper, effective ionization coefficient for 6H-SiC is determined. Analytical formulas for the parallel plane breakdown voltage of the 6H-SiC p＋n junction are derived by employing the ionization coefficients. The analytical breakdown voltages show good agreement with the numerical results of Dmitriev＇s［3］and the experimental results of Cree Research［9］over the doping range from 10$^{15}$ cm$^{-3}$ to 10$^{18}$ cm$^{-3}$.
