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양극산화된 알루미나 주형 안에 CdS 나노선 배열의 전기화학적 제조
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  • 양극산화된 알루미나 주형 안에 CdS 나노선 배열의 전기화학적 제조
저자명
윤천호,정영리
간행물명
韓國眞空學會誌
권/호정보
2001년|10권 1호|pp.57-60 (4 pages)
발행정보
한국진공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

우리는 술폭시화디메틸에 $_CdCl2$와 S를 포함하는 전해질로부터 양극산화된 알루미나 막의 세공 안으로 반도체를 직접 전착하여 5$mu extrm{m}$까지의 길이와 20nm의 작은 직경의 균등한 CdS 나노선 배열을 제조하였다. 나노선 배열은 주사전자현미경법과 X-선회절에 의해 연구되었다. 전착된 물질은 주로 (100) 우선방위를 지닌 육방정계 CdS로 이루어져 있다.

기타언어초록

We prepared uniform CdS nanowire arrays ways with lengths up to 5 $mu extrm{m}$ and diameters as small as 20 nm by electrochemically depositing the semiconductor directly into the pores of anodic alumina films from an electrolyte containing $CdCl_2$ and S in dimethyl sulfoxide. The nanowire arrays were characterized by scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The deposited materials are composed mainly of hexagonal CdS with (100) preferential orientation.