- 양극산화된 알루미나 주형 안에 CdS 나노선 배열의 전기화학적 제조
- ㆍ 저자명
- 윤천호,정영리
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2001년|10권 1호|pp.57-60 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
우리는 술폭시화디메틸에 $_CdCl2$와 S를 포함하는 전해질로부터 양극산화된 알루미나 막의 세공 안으로 반도체를 직접 전착하여 5$mu extrm{m}$까지의 길이와 20nm의 작은 직경의 균등한 CdS 나노선 배열을 제조하였다. 나노선 배열은 주사전자현미경법과 X-선회절에 의해 연구되었다. 전착된 물질은 주로 (100) 우선방위를 지닌 육방정계 CdS로 이루어져 있다.
We prepared uniform CdS nanowire arrays ways with lengths up to 5 $mu extrm{m}$ and diameters as small as 20 nm by electrochemically depositing the semiconductor directly into the pores of anodic alumina films from an electrolyte containing $CdCl_2$ and S in dimethyl sulfoxide. The nanowire arrays were characterized by scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The deposited materials are composed mainly of hexagonal CdS with (100) preferential orientation.