기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
장바구니
 고객센터
본문검색
  • 검색 히스토리
실시간 인기검색어
서지반출
Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP)를 이용한 Silylated photoresist 식각공정개발
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • Enhanced-Inductively Coupled Plasma (E-ICP)를 이용한 Silylated photoresist 식각공정개발
ㆍ 저자명
조수범,김진우,정재성,오범환,박세근,이종근
ㆍ 간행물명
전기전자재료학회논문지
ㆍ 권/호정보
2002년|15권 3호|pp.227-232 (6 pages)
ㆍ 발행정보
한국전기전자재료학회
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

The silylated photoresist etch process was tested by enhanced-ICP. The comparison of the two process results of micro pattern etching with $0.35mu extrm{m}$ CD by E-ICP and ICP reveals that I-ICP has bettor quality than ICP. The etch rate and the RIE lag effect was improved in E-ICP. Especially, the problem of the lateral etch was improved in E-ICP.

키워드

Silyated photoresistE-ICPICPEtch rateEtch profile

다운URL