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Mesh-type PECVD를 이용한 DC-bias인가 및 수소가스 첨가에 따른 저수소화 비정질 실리콘 박막에 관한 연구
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  • Mesh-type PECVD를 이용한 DC-bias인가 및 수소가스 첨가에 따른 저수소화 비정질 실리콘 박막에 관한 연구
저자명
류세원,권도현,박성계,남승의,김형준,Ryu. Se-Won,Gwon. Do-Hyeon,Park. Seong-Gye,Nam. Seung-Ui,Kim. Hyeong-Jun
간행물명
한국재료학회지
권/호정보
2002년|12권 4호|pp.235-239 (5 pages)
발행정보
한국재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this study mesh-type PECVD system was suggested to minimize the hydrogen concentration. The main structural difference between the triode system and a conventional system is that, a third electrode, a mesh, is inserted between the powered and the ground electrode. We investigated several conditions to compare with conventional PECVD. The main effect of mesh was to minimize the substrate damage by ion bombardment and to enhance the surface reaction to induce hydrogen desorption. It was also found that hydrogen concentration decreased but deposition rate increased as increasing applied bias. Applied DC-bia s enhanced sputtering process. Intense ion bombardment causes the weakly bonded hydrogen or hydrogen-containing species to leave the growing film and increased adatom mobility. Furthermore, addition of hydrogen gas enhance the surface diffusion of adatom.;                                    - 즐거운 하루되세요 -???