본 논문은 전원전압 감지기와 소비전력이 적은 SRAM 쓰기 구동기에 대한 것이다. 전원전압 감지기는 전원전압이 기준전압보다 높을 때는 하이, 낮을 때는 로우를 발생한다. 쓰기 구동기는 쓰기 사이클에서 동작 전류를 줄이기 위해 가변 구동력을 가진 이중 크기 구조를 사용하였다. 전원전압 감지 결과에 따라 로우일 경우에는 두개의 구동기를 동작하게 하여 기존과 구동능력이 같고 하이일 경우에는 한개의 구동기만 동작하여 전류를 반으로 흘리도록 하여 저전력을 구현하였다. 0.6㎛ 3.3v/5v, CMOS 모델 파라메타를 가지고 모의 실험한 결과, 제안한 SRAM회로는 Vcc=3.3V에서 기존과 비교하여 전력소모를 22.6%, PDP(Power- delay-product)를 12.7% 감소한 결과를 보였다.
This paper describes a supply voltage detector and SRAM write driver circuit which dissipates small power. The supply voltage detector generates high signal when supply voltage is higher than reference voltage, but low signal when supply voltage is lower than reference voltage. The write driver utilizes two same-sized drivers to reduce operating current in the write cycle. In the case of lower supply voltage comparing to Vcc, both drivers are active the same as conventional write driver, while in the case of high Vcc only one of two drivers are active so as to deliver the half of the current. As a result of simulation using 0.6${mu}{ extrm}{m}$ 3.3v/5v, CMOS model parameter, the proposed SRAM scheme shows a 22.6% power reduction and 12.7% PDP reduction at Vcc=3.3V, compared to the conventional one.
