- SOI 구조를 이용한 수직 Hall 센서에 대한 특성 연구
- ㆍ 저자명
- 이지연,박병휘
- ㆍ 간행물명
- 마이크로전자 및 패키징 학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2002년|9권 4호|pp.25-29 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국마이크로전자및패키징학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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기존 홀 센서의 단점을 개선하기 위해서 트랜치를 이용한 수직 홀 센서를 제작하였다. 수직 홀 센서는 센서의 칩 표면에 수평 자계를 검출할 수 있으며, 홀 센서는 실리콘 직접 본딩 기술에 의해 제작된 SOI 기판 위에 제작하였다. 기판 아래의 $SiO_2$층과 마이크로머시닝에 의한 트랜치가 홀 센서의 동작 영역을 정의한다. 홀 센서의 감도는 150V/AT로 측정되었으며 안정된 값을 나타내었다.
We have fabricated a vertical trench Hall device which is sensitive to the magnetic field parallel to the sensor surface. The vertical trench Hall device has been built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried $SiO_2$ layer and surround trench define active device volume. Sensitivity up to 150 V/AT has been measured.