융액인상법으로 질소분위기 하에서 $Yb^{3+}$ 이온이 20at% 고용된 $Yb:YCa_4O(BO_3)_3$ (Yb:YCOB) 단결정을 이리듐 도가니를 사용하여 성장시켰다. 양질의 단결정을 성장시키기 위한 인상속도와 회전속도는 각각 1.5∼2 mm/h와 10∼20 rpm이었다. 분광물성 측정 결과, 흡수단이 236 nm에 있었으며, 전형적인 $Yb^{3+}$ 이온의 흡수 스펙트럼이 관찰되었다. Yb:YCOB의 열팽창계수는 320∼650 K의 측정범위에서 결정학적 축 a, b 그리고 c에 대해 12.1×$10^{-6}$ /K, 5.9${ imes}10^{-6}$/K, 12.9${ imes}10^{-6}$이었다. 비열은 330 K에서 0.162 $cal/g{cdot}K$이었다.
Yb:$YCa_4O(BO_3)_3$ (Yb:YCOB) single crystal, in which the concentration of $Yb^{3+}$ ion 20 at%, was grown by the Czocharalski method using an iridium crucible under N2 atmosphere. The optimum growth parameters to get a high quality of single crystals were found to be 1.5∼2 mm/h of pulling rate and 10∼20 rpm of rotation rate. According to the results of spectroscopic properties, absorption edge of Yb:YCOB was 236 nm. Two strong absorption line due to $Yb^{3+}$ ions were observed at 900 and 975 nm. Thermal expansion coefficients of Yb:YCOB crystal along a, b and c crystallographic axes from 320 to 650 K were 12.1${ imes}10^{-6}$/K, 5.9${ imes}10^{-6}$/K, 12.9${ imes}10^{-6}$/K, respectively. Specific heat was 0.162 $cal/g{cdot}K$ at 330 K.
