- 수치해석을 이용한 전력 BJT의 정특성 분석
- ㆍ 저자명
- 이은구,윤현민,김철성,Lee. Eun-Gu,Yun. Hyun-Min,Kim. Cheol-Seong
- ㆍ 간행물명
- 전기전자학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2002년|6권 2호|pp.119-127 (9 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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수치해석을 이용하여 전력 BJT의 정특성을 분석하는 방법을 제안한다. 고농도의 불순물이 주입된 영역에서 반송자 농도를 정교하게 구하기 위해 Fermi-Dirac 통계를 고려하며, 베이스 영역에서 재결합 전류를 계산하기 위해 Philips Unified 이동도 모델과 SRH 및 Auger 생성-재결합 모델을 사용한다. 제안된 방법을 검증하기 위해 현재 산업체에서 사용중인 전력 BJT의 베이스 전류를 $1.0[{mu}A]$에서부터 $3.5[{mu}A]$까지 $0.5[{mu}A]$ 단위로 증가시키면서 컬렉터 전류의 실측치와 BANDIS와 비교한 결과 8.9%이내의 상대오차를 보였다.
An algorithm for analyzing the characteristics of the power BJT using numerical analysis method is proposed. The Fermi-Dirac statistics is used to calculate the carrier concentration in highly doped region. Philips Unified mobility model, SRH model and Auger model is used to calculate the recombination current of base region. To verify the accuracy of the proposed method, the collector current of BANDIS is compared with the measured data in the condition of the base current increased from $1.0[{mu}A];to;3.5[{mu}A]$. The collector current of BANDIS show a maximum relative error within 8.9% compared with the measured data.