- 표면 개질에 의한 상압에서의 B4C/Al복합체 제조 방법
- ㆍ 저자명
- 임경란,강덕일,김창삼
- ㆍ 간행물명
- 한국세라믹학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2003년|40권 2호|pp.128-131 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국세라믹학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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B$_4$C 분말 표면을 알루미나 전구체로 표면 개질하여 알루미늄의 wetting 각을 낮추어 알루미늄의 함침을 용이하게 함으로써 상압에서 B$_4$C/Al 복합체를 제조하고자하였다. 알루미나 전구체에 의한 표면개질은 제타전위의 변화로 확인하였으며, 표면개질된 B$_4$C 분말의 preform에 Al 6061 디스크를 올려놓고 흐르는 알곤 분위기에서 103$0^{circ}C$/20분 열처리로 Al이 완전히 함침된 B$_4$C/Al 복합체를 제조하였다. 반면 표면 개질되지 않은 B$_4$C 분말은 125$0^{circ}C$/30분에도 함침이 일어나지 않았다. 이 복합체의 XRD와 SEM 분석은 B$_4$C. Al 외에도 반응상 $Al_3$BC 상이 생성되었으며, 물성을 크게 저하시키는 A1$_4$C$_3$는 생기지 않았음을 보여 주었다.
Formation of$B_4C/Al$composite by pressureless infiltration was investigated by lowering wetting angle via surface modification of $B_4C$powder with alumina precursor. Surface modification was confirmed by zeta potential analysis. The$B_4C/Al$composite was prepared by placing an Al 6061 disk on the$B_4C$preform and heating at $1030{circ}C$/20 min under a flowing argon, but no infiltration took place for a bare $B_4C$ preform even at$1250{circ}C$/30 min. Analysis of XRD and SEM showed the $Al_3BC$phase besides$B_4C$and Al, but no trace of deteriorative$A1_4C_3$.