- Parametric model을 이용한 InGaAs 박막의 유전함수 연구
- ㆍ 저자명
- 인용섭,김태중,최재규,김영동
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2003년|12권 1호|pp.20-24 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Parametric semiconductor model을 이용하여 $In_{chi}Ga_{1-ch}As ;(0leqchileq1)$ 화합물 반도체 박막의 유전함수를 얻었다. Parametric model은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로 임계점에 대한 모델 유전 함수를 묘사하여 InGaAs 화합물의 광학 상수들을 재현할 수 있는 parameterized 함수를 제공하였다. 이러한 parametric 모델을 통하여 임의의 성분비 $chi$에 대한 파라미터 값들을 얻었고, 이렇게 얻어진 파라미터들로부터 $In_{chi}Ga_{1-ch}As ;(0leqchileq1)$ 화합물 박막의 임의의 성분비에 대한 유전 함수를 얻을 수 있었다.
We Performed the modeling of the dielectric functions of InGaAs by using the parametric semiconductor model. Parametric model describes the analytic dielectric function as the summation of several energy-bounded Gaussian-broadened polynomials and provides a reasonably well parameterized function which can accurately reproduce the optical constants of InGaAs materials. We obtained the values of fitting parameters of an arbitrary composition $chi$ through the parametric model. And then, from these parameters we could obtain the unknown dielectric functions of InGaAs alloy films ($0leqchileq1$).