기존의 테스트 알고리즘은 대부분 셀간의 고장에 중심이 맞추어져 있어 메모리의 집적도의 증가와 더불어 일어나는 word-line 과 bit-line 결합 잡음에 의한 고장을 효과적으로 테스트 할 수 없다 본 논문에서는 word-line 결합 capacitance에 의한 고장의 가능성을 제시하고 새로운 고장 모델인 WLSFs(Word-Line Sensitive Faults)을 제안하였다. 또한 word-line 과 bit-line 결합 잡음을 동시에 고려한 알고리즘을 제시하여 고장의 확률을 높였고 고장의 원인을 기존의 고장 모델로는 되지 않음을 보여준다. 제안된 알고리즘은 기존의 기본적인 고장인 고착고장, 천이고장, 그리고 결합고장을 5개의 이웃셀 내에서 모두 검출할 수 있음을 보여준다.
Conventional test algorithms do not effectively detect faults by word-line and bit-line coupling noise resulting from the increase of the density of memories. In this paper, the possibility of faults caused by word-line coupling noise is shown, and new fault model, WLSFs(Word-Line Sensitive Fault) is proposed. We also introduce the algorithm considering both word-line and bit-line coupling noise simultaneously. The algorithm increases probability of faults which means improved fault coverage and more effective test algorithm, compared to conventional ones. The proposed algorithm can also cover conventional basic faults which are stuck-at faults, transition faults and coupling faults within a five-cell physical neighborhood.
