저전압 DRAMs을 위한 2-단계 2-위상 VPP 전하 펌프 발생기

저전압 DRAMs을 위한 2-단계 2-위상 VPP 전하 펌프 발생기

ㆍ 저자명: 조성익,유성한,박무훈,김영희
ㆍ 간행물명: 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체
ㆍ 권/호정보: 2003년|40권 6호|pp.442-446 (5 pages)
ㆍ 발행정보: 대한전자공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.

서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 몸체효과와 문턱전압 손실이 제거된 새로운 2-단계 2-위상 VPP 전하펌프 발생기를 제안하였다. 새롭게 제안된 회로의 동작을 검증하기 위하여 0.18um Triple-Well CMOS 공정을 사용하였으며, VPP의 전압 레벨은 VDD가 문턱전압 이상일 때 3VDD가 공급되는 결과를 얻었다.

기타언어초록

This paper proposes a new two-stage two-phase VPP charge pump configured in such a manner that body effect and the threshold voltage loss are eliminated. The newly proposed circuit is fabricated using 0.18um triple-well CMOS process and the measurement result shows that the VPP level tracks 3VDD when VDD is above the threshold voltage.

키워드

Boosted Voltage Generator Low-Voltage DRAMs

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