- 음극전착법을 이용한 α-Fe2O3 막의 광전기화학적특성
- ㆍ 저자명
- 이은호,주오심,정광덕,최승철
- ㆍ 간행물명
- 한국세라믹학회지
- ㆍ 권/호정보
- 2003년|40권 9호|pp.842-848 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국세라믹학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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ITO 기판위에 음극전착법으로 $alpha$-Fe$_2$O$_3$막을 제조하였다 $alpha$-Fe$_2$O$_3$막의 특성을 향상시키기 위하여 전착시간, 전착전압, 열처리 조건을 변화시켜 그 특성을 조사하였다. 전착된 전극에 100 mW/$ extrm{cm}^2$의 백색광을 조사하여 광전류밀도를 측정하고, XRD, SEM, UV-visible spectrophotometer를 통해 제조 조건에 따른 특성변화를 관찰하였다. 그리고 100 mW/$ extrm{cm}^2$의 백색광하 0 bais에서의 전극의 안정성을 검토하였다. 인가전압 -2V, 인가시간 180s 전착조건에서 얻어진 막을 50$0^{circ}C$에서 1시간 열처리하여 순수한 $alpha$-Fe$_2$O$_3$막이 형성되었으며, 이 조건에서 얻어진 막에서 834$mu$A/$ extrm{cm}^2$의 가장 큰 광전류밀도가 측정되었다.
Semiconducting $alpha$-Fe$_2$O$_3$ film was prepared by the cathodic electrodeposition method on Indium Tin Oxide (ITO) substrate for photoelectrochemical cell application. After heat treatment at 50$0^{circ}C$, the phase was changed from Fe to $alpha$-Fe$_2$O$_3$. The phase, morphology, absorbance, and photocurrent density (A/$ extrm{cm}^2$) of the film depended on the preparation conditions: deposition time, applied voltage, and the duration of heat treatment. The $alpha$-Fe$_2$O$_3$ film was characterized by X-Ray Diffractometer (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM), and UV -Visible Spectrophotometer. The stability of the $alpha$-Fe$_2$O$_3$ film in aqueous solution was tested at zero bias potential under the white-light source of 100 mW/$ extrm{cm}^2$. The apparent grain size of the films formed at -2.0 V was larger than that grown at -2.5 V. The $alpha$-Fe$_2$O$_3$ film deposited at -2.0 V for 180 s and heat-treated at 50$0^{circ}C$ for 1 h showed the predominant photocurrent of 834$mu$A/$ extrm{cm}^2$.