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V형 양자선 레이저의 전류 차단층에 대한 연구
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  • V형 양자선 레이저의 전류 차단층에 대한 연구
저자명
조태호,김태근
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2003년|16권 12호|pp.1268-1272 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In order to enhance current Injection efficiency of Y-groove inner strife(VIS) quantum wire lasers, three different current configurations, n-blocking on p-substrate(VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate(VI(PN)nS), p-blocking on n-substrate(VINS) have been designed and fabricated. Among them VIPS laser showed the most stable characteristics of lasing up to 5 mW/facet, a threshold current of 39.9 mA at 818 nm, and an external differential quantum efficiency of 24 %/facet. The current tuning rate was almost linear 0.031 nm/mA, and the temperature tuning rate was measured to be 0.14 nm/$^{circ}C$.