Si/SiO$_2$/Ta(3 nm)/NiO(60 nm)/Co(2.5 nm)/Cu(1.95 nm)/Co(4.5 nm)/NOL(t nm)/Ta(3 nm) 구조의 스핀밸브를 제작하고, NOL의 물질을 달리하여 각각 열처리하였으며, 그에 따른 자기적 특성을 연구하였다. NOL을 삽입하여 열처리한 결과, 자기저항비는 약 10%에서 12%로 증가하였으며, NOL은 각각 NiO를 사용한 경우와 Co의 산소 플라즈마를 사용하여 각각 열처리해 주었다. NiO를 사용한 경우 자기저항비가 1.01%의 증가율을 보이며, 산소 플라즈마를 사용한 경우에는 1.29%의 증가율을 보였다. 또한, 두 경우 모두 저항의 변화량($Delta$R)은 거의 일정하였고, 저항(R)값은 감소하였다. 이러한 결과는 NOL을 삽입하여 열처리하였을 때 NOL/강자성층 계면에서 내부확산을 통해 전도 전자의 specular 산란효과를 가져왔고, 이로 인하여 전자의 평균 자유이동경로가 확장되어 전류의 전도도를 증가시켰다. 이러한 specular효과에 의해 비저항의 변화량은 일정하게 유지되는 동안에 비저항 값은 감소하게 되어 결과적으로 자기저항비의 향상을 가져왔다.
Magnetic properties are investigated for spin valves of Si/SiO$_2$/Ta(3 nm)/NiO(60 nm)/Co(2.5 nm)/Cu(1.95 nm)/Co(4.5 nm)/NOL(t nm ; Nano Oxide layer)/Ta(3 nm) with annealing. The annealing effect of spin valves with NOL are shown larger MR ratios from 10% to 12%. However lower enhancement of MR ratios. The spin-valves with NOL also showed almost constant $Delta$R and smaller R. Enhanced MR ratios of spin valves with NOL after annealing result mainly from small values of R with constant $Delta$R which due to specular diffusive electron scattering at NOL(NiO)/metal interfaces.
