지난 40여년간의 반도체 집적 공정의 발전에 있어서 무어(Moore)의 법칙에 의한 소자의 미세화를 달성하기 위하여, 광리소그래피(optical lithography) 기술은 꾸준히 발전하여 왔으며, 소자의 선폭이 나노스케일인 공정에서 역시, 소자 제조의 핵심기술은 리소그래피 기술을 이용한 회로의 패터닝(patterning) 기술에 달려 있다고 해도 과언이 아니다. 그러나 현재 사용되고 있는 광리소그래피는 사용하는 파장의 길이에 따른 분해능(resolution)의 한계로 인하여, 이러한 나노 스케일의 소자를 제작하기 위해서는 새로운 리소그래피 기술이 필요하다는 것이 일반적으로 인정이되고 있다.(중략)