우리는 3층 구조의 레지스터와 이중 노광 방법을 이용하여 유전체 지지대를 사용하지 않은 새로운 방법으로 게이트 길이가 70 nm인 T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 제작 하였다. 게이트 길이가 70 nm이고 게이트 단위폭이 70 ㎛인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT는 최대 포화 전류밀도가 최대 포화 전류밀도가 228.6 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 645 mS/mm, 전류이득차단주파수가 255 GHz인 특성을 보였다.
In this paper, we have demonstrated the fabrication of a 70 nm foot print of the T-gate by using a positive resist ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA trilayer by double exposure method without a thin dielectric supporting layer on the substrate. The device performance was characterized by DC and RF measurement. The fabricated 70 nm InGaAs/InAlAs MHEMTS with 70 ${mu}{ extrm}{m}$ unit gate width and 2 fingers showed good DC and RF characteristics of Idss, max =228.6 mA/mm, gm =645 mS/mm, and fT =255 GHz, respectively.
