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스컬법에 의한 루틸 단결정 성장에 관한 연구
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  • 스컬법에 의한 루틸 단결정 성장에 관한 연구
저자명
석정원,최종건,Seok. Jeong-Won,Choi. Jong-Koen
간행물명
한국결정성장학회지
권/호정보
2004년|14권 6호|pp.262-266 (5 pages)
발행정보
한국결정성장학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

초기 RF유도가열을 위해 Ti 금속링을 사용하여 스컬법에 의해 루릴 단결정을 성장시켰다. 성장시킨 단결정은 ${varnothing}55.5{ imes}1.0mm$의 wafer로 가공하였으며,$1300^{circ}C$에서 15시간까지 대기중에서 열처리 하여 $lambda=200~25000nm$의 범위에서 투광도를 비교하였다.

기타언어초록

Rutile single crystals were grown by the skull melting method. Ti metal ring was used for initial RF induction heating. The grown crystals were cut into wafer of 5.5 mm diameter and 1mm thickness. The wafers were annealed in air at $1300^{circ}C$ up to 15 hours and their transmittance spectra $(lambda= 200~25000 nm)$ were obtained.