Hot-wall epitaxy 법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막을 실온에서 포톤에너지 1.5${~}$5.5 eV 영역에서 타원 분광기로 복소 유전함수를 구하였다. 타원분광기의 스펙트럼에서는 $E_l,;E_1+{Delta}_1$, $E_2$의 임계점이 관찰되었으며 이들 에너지는 CdTe 박막의 두께가 증가함에 따라 감소하였다.
Spectroscopic ellipsomerty measurements of the complex dielectric function of the CdTe thin films grown on GaAs(100) substrates by hot wall epitaxy have been performed in 1.5${~}$5.5 eV photon energy range at room temperature. The spectroscopic ellipsometer spectra revealed distinct structures at energies of the $E_l,;E_1+{Delta}_1$, and $E_2$ critical points. These energies were decreased with increasing thickness of CdTe thin films.
