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Design of a Planar Cavity Resonator for 12.5 GHz Low Phase Noise SiGe HBT Oscillator
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  • Design of a Planar Cavity Resonator for 12.5 GHz Low Phase Noise SiGe HBT Oscillator
  • Design of a Planar Cavity Resonator for 12.5 GHz Low Phase Noise SiGe HBT Oscillator
저자명
Lee. Jae-Woo,Kim. Yong-Hoon
간행물명
Journal of the Korea Electromagnetic Engineering Society
권/호정보
2005년|5권 4호|pp.153-160 (8 pages)
발행정보
한국전자파학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this paper, the novel microwave oscillator incorporating a planar cavity resonator(PCR) is presented to reduce the phase noise of the oscillator in a planar environment. Compared to the conventional planar( $lambda$/4 open stub resonator), the phase noise is improved about 16 dBc/Hz @100 kHz. The design of the oscillator is based on a reflection type configuration using the low 1/f SiGe HBT transistor(LPT16ED). The output power is measured 2.76 dBm at 12.5 GHz. In this paper, the oscillator used to the PCR can be expected to provide a solution for low phase noise oscillator in microwave circuits.