서브 마이크론 크기의 셀을 제조하기 위하여 종래의 방식인 전체시료구조를 증착한 후 이온밀링 방식으로 제조하는 대신에 Pt 스텐실 마스크 공정과 e-beam 리소 및 습식 식각 공정을 이용하여 배치형 submicron 셀을 lift-off 방식으로 제조하였다. $500nm{ imes}500 nm,;200nm{ imes}300 nm$ 크기에 $CoFe(30 {AA})/Cu(100{AA})/CoFe(120{AA}$) 3층 구조를 셀내에 증착하고 수직전류를 인가하여 자기저항 특성을 조사하였다. 자기저항 특성은 두 자성층의 보자력 차이를 이용하여 스핀의 반평형 구조를 유도하여 슈도 스핀밸브이며 각 셀의 크기에서 1.1, $0.8{\%}$의 자기저항비가 얻어졌다. 또한 전류인가에 따른 저항변화로부터 스핀전달 효과에 따른 스위칭 변화가 일어남을 확인하였으며, 이 구조에서 저항의 변화로부터 측정된 임계전류밀도는 약 $7.65{ imes}10^{7}A/cm^2$였다.
In order to make submicron cell for spin-injection device, lift-off method using Pt stencil and wet etching was chosen. This approach allows batch fabrication of stencil substrate with electron-beam lithography. It simplifies the process between magnetic film stack deposition and final device testing, thus enabling rapid turnaround in sample fabrication. Submicron junctions with size of $200nm{ imes}300nm$ and $500nm{ imes}500nm$ 500 nm and pseudo spin valve structure of $CoFe(30{AA})/Cu(100{AA})/CoFe(120{AA}$) was deposited into the nanojunctions. MR ratio was 0.8 and $1.1{\%}$, respectively and spin transfer effect was confirmed with critical current of $7.65{ imes}10^7A/cm^2$.
