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Pulsed Laser Ablation으로 제작한 $C_{60}$ 및 Si 박막의 광학적 특성 분석
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  • Pulsed Laser Ablation으로 제작한 $C_{60}$ 및 Si 박막의 광학적 특성 분석
저자명
김민성,Kim. M.S.
간행물명
한국동력기계공학회지
권/호정보
2005년|9권 4호|pp.118-123 (6 pages)
발행정보
한국동력기계공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

We have investigated the fabrication of Si nanoparticles and $C_{60}$ thin films by pulsed laser ablation. By atomic force microscopy(AFM), the laser-deposited $C_{60}$ thin film was verified to have surface far smoother than the surfaces of films produced by the conventional evaporation method. The Si deposited at a He atmosphere of 0.2 Torr was with about $60{AA}$ height of the Si nanoparticles, suggesting that it was uniformly deposited. We observed visible green emissions spectra in the $Si/C_{60}$ multilayer films after laser annealing. It is considered that this green emissions is occurred from SiC particles, which is produced reaction of Si nanoparticles with $C_{60}$ by laser annealing.