$1.5{mu}m$ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성

$1.5{mu}m$ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성

ㆍ 저자명: 유영채,이정일,김경찬,김은규,김길호,한일기,Yoo. Young-Chae,Lee. Jung-Il,Kim. Kyoung-Chan,Kim. Eun-Kyu,Kim. Gil-Ho,Han. Il-Ki
ㆍ 간행물명: 韓國眞空學會誌
ㆍ 권/호정보: 2006년|15권 5호|pp.493-498 (6 pages)
ㆍ 발행정보: 한국진공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 $1.5{mu}m$의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3-dB 파장대역폭은 55 nm 이었다.

기타언어초록

Superluminescent diodes (SLD) with the emitting wavelength of $1.55{mu}m$ was fabricated on InGaAs quantum dot structure grown by MOCVD. The output power and 3-dB bandwidth at room temperature and continuous wave operation were 3 mw and 55 nm, respectively.

키워드

고휘도 발광소자 InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저 다이오드 광 루미네센스 InGaAs/InGaAsP/InP QD Photoluminescence Electroluminescence Superluminescent Diode

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