혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 InGaN/AlGaN의 이종접합구조(heterostructure)의 LED (light emitting diode)를 선택성장(SAG : selective area growth)하였다. InGaN/AlGaN 이종접합구조를 혼합소스 HVPE로 연속 성장하기 위하여 새로운 디자인의 multi-sliding boat를 도입하였다. SAG-InGaN/AlGaN LED의 상온 EL(electroluminescence) 특성은 주입전류가 20mA일 때 중심파장은 425nm였다. Multi-sliding boat를 이용한 혼합소스 HVPE 방법이 질화물 반도체 LED를 성장하는 유용한 방법이 될 수 있음을 확인하였다.
The selective growth of InCaN/AlGaN light emitting diodes was performed by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). In order to grow the InGaN/AlGaN heterosturcture consecutively, a special designed multi-sliding boat was employed in our mixed-source HVPE system. Room temperature electroluminescence spectum of the SAG-InGaN/AlGaN LED shows an emission peak wavelength of 425 nm at injection current 20 mA. We suggest that the mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system is possible to be one of the growth methods of III-nitrides LEDs.
