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MgO가 첨가된 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 후막의 구조 및 유전 특성
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  • MgO가 첨가된 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 후막의 구조 및 유전 특성
저자명
강원석,남성필,고중혁,이성갑,이영희,Kang. Won-Seok,Nam. Sung-Pil,Koh. Jung-Hyuk,Lee. Sung-Gap,Lee. Young-Hie
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2006년|55권 12호|pp.555-559 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Using the $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) powders prepared by the Sol-Gel method, the BST thick films were fabricated on the $Al_2O_3 $substrates coated with Pt by the screen printing method. Compared with pure BST thick films, the structural and dielectric properties of the BST thick films doped with $1{sim}10$ wt % MgO were investigated. It was observed that the Mg substitution into BST causes a shift in the cubic-tetragonal BST phase transition peak to a lower temperature. The microstructure of the BST substituted with Mg was homogeneous and dense. Mg substitution into BST had a significant effect on the grain size reduction. Dielectric constant was decreased with increasing the MgO content and temperature. In the case of BST thick films doped with 1 wt% MgO, the relative permittivity and dielectric loss were 1581 and 1.4 % at 1 MHz.