최근 NAND 플래시 메모리를 데이터뿐만 아니라 프로그램 코드를 저장하기 위한 목적으로 사용하는 실시간 시스템이 증가하고 있다. 그러나 데이터의 순차 접근만을 허용하는 NAND 플래시의 물리적인 특성 때문에, NAND 플래시 메모리 기반의 시스템에서는 일반적으로 shadowing 기법을 통해 프로그램을 수행한다. 그러나 shadowing 기법은 시스템의 부팅 시간을 증가시키고 불필요한 DRAM 영역을 차지한다는 단점이 있다. 이에 대한 대안 중 하나는 demand paging 기법을 활용하는 것이다. 그러나 demand paging 환경에서는 프로그램 실행 도중 임의로 발생하는 page fault 때문에 프로그램의 최악 응답 시간을 예측하기 어렵다. 본 논문에서는 demand paging 환경에서의 태스크 최악 응답 시간 분석 기법을 제안한다. 분석 기법은 분석의 정확도와 시간 복잡도에 따라 DP-Pessimistic. DP-Accurate으로 나뉜다. 또한 시뮬레이션을 통해 DP-Pessimistic과 DP-Accurate 분석 기법의 정확도를 비교한다.
Flash memory has been increasingly used in handhold devices not only for data storage, but also for code storage. Because NAND flash memory only provides sequential access feature, a traditionally accepted solution to execute the program from NAND flash memory is shadowing. But, shadowing has significant drawbacks increasing a booting time of the system and consuming severe DRAM space. Demand paging has obtained significant attention for program execution from NAND flash memory. But. one of the issues is that there has been no effort to bound demand paging cost in flash memory and to analyze the worst case performance of demand paging. For the worst case timing analysis of programs running from NAND flash memory. the worst case demand paging costs should be estimated. In this paper, we propose two different WCRT analysis methods considering demand paging costs, DP-Pessimistic and DP-Accurate, depending on the accuracy and the complexity of analysis. Also, we compare the accuracy butween DP-Pessimistic and DP-Accurate by using the simulation.
