본 논문에서는 게이트길이가 $0.9{mu}m,;0.1{mu}m$를 갖는 p형 SiGe MOSFET에 대한 전기적 특성들을 TCAD 시뮬레이터를 이용하여 연구하였다. 또한 온도 300K와 77K일 때 2개의 캐리어 전송모델(하이드로 다이나믹 모델과 드리프트-확산 모델)을 사용하여 전기적 특성들을 비교 분석하였다. 본 논문에서는 드리프트-확산 모델보다는 하이드로 다이나믹 모델을 사용하였을 때 드레인 전류가 더 많이 흐름을 알 수 있었다. 게이트 길이가 $0.9{mu}m$일 때 문턱 전압은 온도가 300K, 77K에서 각각 -0.97V와 -1.15V의 값을 가짐을 알수 있었다. 또한 게이트 길이가 $0.1{mu}m$일 때 문턱전압들은 게이트길이가 $0.9{mu}m$일 때의 값과 거의 같음을 알 수 있었다.
In this paper, we have designed the p-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor(pMOSFET) for SiGe devices with gate lengths of $0.9{mu}m$ and $0.1{mu}m$using the TCAD simulators. The electrical characteristics of devices have been investigated over the temperatures of 300 and 77K. We have used the two carrier transfer models(hydrodynamic model and drift-diffusion model). We how that the drain current is higher in the hydrodynamic model than the drift-diffusion model. When the gate length is $0.9{mu}m$, the threshold voltage shows -0.97V and -1.15V for 300K and 77K, respectively. The threshold voltage is, however, nearly same at $0.1{mu}m$ for 300K and 77K.
