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직충돌 이온산란 분광법을 사용한 MgO(100) 면에 성장된 BaTiO3막의 구조해석
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  • 직충돌 이온산란 분광법을 사용한 MgO(100) 면에 성장된 BaTiO3막의 구조해석
저자명
황연,이태근,Hwang. Yeon,Lee. Tae-Kun
간행물명
한국세라믹학회지
권/호정보
2006년|43권 1호|pp.62-67 (6 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Time-of-flight impact-collision ion scattering spectroscopy (TOF-ICISS) using 2 keV $He^+$ ion was applied to study the geometrical structure of the $BaTiO_3$ thin film which was grown on the MgO(100) surface. Hetero-epitaxial $BaTiO_3$ layers were formed on the MgO(100) surface by thermal evaporation of titanium followed first by oxidation at $400^{circ}C$, subsequently by barium evaporation, and finally by annealing at $800^{circ}C$. The atomic structure of $BaTiO_3$ layers was investigated by the scattering intensity variation of $He^+$ ions on TOF-ICISS and by the patterns of reflection high energy electron diffraction. The scattered ion intensity was measured along the <001> and <011> azimuth varying the incident angle. Our investigation revealed that perovskite structured $BaTiO_3$ layers were grown with a larger lattice parameter than that of the bulk phase on the MgO(100) surface.