본 논문에서는 MB-OFDM 방식의 초광대역 시스템 응용을 위한 단일 단 cascode 구조의 CMOS 저잡음증폭기를 설계하였다. 광대역 ($3.1GHz~4.9GHz$) 입력 매칭은 칩 면적과 잡음지수를 줄이기 위해 간단한 대역 통과 필터를 사용하여 수행하였다. $0.18{mu}m$ CMOS 공정변수를 사용하여 모의실험 한 결과, 설계된 증폭기는 9.7dB의 최대 이득, $2.1GHz~7.1GHz$의 3dB 대역폭, 2dB의 최소잡음지수, -2dBm의 IIP3, -11.8dB 이하의 입력 반사 손실 특성을 보이며, 1.8V 공급 전원전압에 25.8mW의 전력을 소모한다. 칩면적은 패드를 포함해서 $0.74mm^2$이다.
A CMOS LNA based on a single-stage cascode configuration is designed for MB-OFDM ultra-wide band(UWB) systems. Wideband($3.1GHz~4.9GHz$) input matching is performed using a simple bandpass filter to minimize the chip size and the noise figure degradation. The simulation results using $0.18{mu}m$ CMOS process parameters show a power gain of 9.7dB, a 3dB band width of $2.1GHz~7.1GHz$, a minimum NF of 2dB, an IIP3 of -2dBm. better than -11.8dB of input matching while occupying only $0.74mm^2$ of chip area. It consumes 25.8mW from a 1.8V supply.
