- 화학기상증착법으로 기판에 직접 성장된 탄소나노튜브 이중 게이트 전계 방출 어레이
- ㆍ 저자명
- 한인택,Han. In-Taek
- ㆍ 간행물명
- 인포메이션 디스플레이
- ㆍ 권/호정보
- 2006년|7권 5호|pp.24-29 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국정보디스플레이학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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화학기상증착법을 이용하여 이중 게이트 구조에 탄소나노튜브를 직접 성장시켰으며, 제작된 FEA는 91%의 픽셀간 균일도, 스캔 전압 70V 미만, 데이터 전압 30V 미만을 실현하였다. 또한 0.699mm pixel ptich의 동영상 이미지 구현을 시연하였다.