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새로운 구조의 ESD 보호소자를 내장한 고속-저 전압 LVDS 드라이버 설계에 관한 연구
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  • 새로운 구조의 ESD 보호소자를 내장한 고속-저 전압 LVDS 드라이버 설계에 관한 연구
저자명
김귀동,권종기,이재현,구용서,Kim. Kui-Dong,Kwon. Jong-Ki,Lee. KJae-Hyun,Koo. Yong-Seo
간행물명
전기전자학회논문지
권/호정보
2006년|10권 2호|pp.141-148 (8 pages)
발행정보
한국전기전자학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this study, the design of advanced LVDS(Low Voltage Differential Signaling) I/O interface circuit with new structural low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. Due to the differential transmission technique and low signal swing range, maximum transmission data ratio of designed LVDS transmitter was simulated to 5Gbps. And Zener Triggered SCR devices to protect the ESD Phenomenon were designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 5.8V. Finally, The high speed I/O interface circuit with the low triggered ESD protection device in one-chip was designed.