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유연성 유기물 transistor를 제작을 위한 고유전 박막 위에서의 Pentacene의 특성
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  • 유연성 유기물 transistor를 제작을 위한 고유전 박막 위에서의 Pentacene의 특성
저자명
이순우,이상설,박정호,박인성,설영국,이내응,안진호,Lee. Sun-Woo,Lee. Sang-Seol,Park. Jung-Ho,Park. In-Sung,Seol. Young-Gug,Lee. Nae-Eung,Ahn. Jin-Ho
간행물명
마이크로전자 및 패키징 학회지
권/호정보
2006년|13권 2호|pp.27-31 (5 pages)
발행정보
한국마이크로전자및패키징학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구는 OTS 표면 처리 유무에 따른 $HfO_2$ 위에서의 pentacene의 grain growth를 비교 연구하였다. OTS 처리에 의해 $HfO_2$의 표면은 hydrophilic에서 hydrophobic으로 변화되었으며, pentacene의 grain size는 50 nm 에서 90 nm으로 증가되었다. 이러한 pentacene의 크기 증가와 더불어 pentacene은 3-dimensional island 구조를 가지며, bulk phase 없이 thin film phase만의 출현으로 인해 OTS/$HfO_2$ 박막 위에서 pentacene은 보다 방향성을 가지며 정렬되었다.

기타언어초록

We reported the grain growth of pentacone on $HfO_2$ film depending on OTS treatment. The hydrophilic $HfO_2$ thin film was changed into hydrophobic with less interface energy by OTS treatment. The grain size of pentacene on OTS/$HfO_2$ film was increased from 50 nm to 90 nm with the variation of surface energy and the structure was maintained 3-dimensional island structure. Pentacene on OTS/$HfO_2$ surface was directionally arrayed due to appearance of the only thin film phase without bulk phase by OTS treatment.