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Small-Sized High-Power PIN Diode Switch with Defected Ground Structure for Wireless Broadband Internet
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  • Small-Sized High-Power PIN Diode Switch with Defected Ground Structure for Wireless Broadband Internet
  • Small-Sized High-Power PIN Diode Switch with Defected Ground Structure for Wireless Broadband Internet
저자명
Kim. Dong-Wook
간행물명
ETRI journal
권/호정보
2006년|28권 1호|pp.84-86 (3 pages)
발행정보
한국전자통신연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This letter presents a small-sized, high-power single-pole double-throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow-wave characteristic, the DGS is used for the quarter-wave (${lambda}$/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt-connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt-type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns.